フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
ア 高速に書換えができ, CPUのキャッシュメモリに用いられる。
イ 紫外線で全データを一括消去できる。
ウ 周期的にデータの再書込みが必要である。
エ ブロック単位で電気的にデータの消去ができる。
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正解：エ
解説：
フラッシュメモリは電気的にデータの一部消去が可能なEEPROMの一種でブロック単位での消去の特徴があります。USBメモリ、SDメモリ、SSDなどに利用されています。
ア．SRAMの説明です。
イ．EPROMの説明です。
ウ．DRAMの説明です。
エ．正しい説明です。上記解説もご参照ください。
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